Aluminiumnitrid (AlN) Substrat

Aluminiumnitrid (AlN) 

Aluminiumnitrid (AlN)-Substrate bieten bemerkenswerte Eigenschaften für die Elektronikindustrie. AlN-Substrate zeichnen sich durch eine hohe Wärmeleitfähigkeit von über 200 W/mK aus, was für Geräte, die erhebliche Wärme erzeugen und eine effiziente Wärmeableitung erfordern, von Vorteil ist. Diese Substrate bieten auch eine starke elektrische Isolierung mit einem Volumenwiderstand größer als 10¹³ Ohm cm, was ihnen ermöglicht, bei erhöhten Temperaturen zuverlässig zu arbeiten, ohne das Risiko unerwünschter elektrischer Leitung.

Mit einer Dielektrizitätskonstante von etwa 9 bei 1 MHz und einem geringen Dielektrischen Verlust von 3,8×10^-2 behalten AlN-Substrate ihre isolierenden Eigenschaften über einen breiten Frequenzbereich hinweg. Diese Eigenschaft macht sie für Anwendungen mit Hochfrequenzen geeignet. Sie können hohe elektrische Felder mit einer elektrischen Festigkeit von 17 kV/mm aushalten, was bedeutet, dass sie in Umgebungen mit hohen Spannungspegeln ohne Durchbruch verwendet werden können.

AlN-Substrate weisen einen Wärmeausdehnungskoeffizienten (4,6×10^-6/°C) auf, der mit Silizium kompatibel ist, was mechanische Spannungen aufgrund von Temperaturänderungen minimiert. Diese Kompatibilität ist entscheidend für elektronische Substrate, die eine dimensionale Stabilität erfordern, um die Integrität und Funktion der Komponenten über die Zeit zu erhalten.

In praktischen Anwendungen werden AlN-Substrate häufig als Grundlage für Leistungshalbleiter, LED-Geräte und elektrische Schaltungen verwendet, die eine effektive Wärmeableitung erfordern. Ihre Fähigkeit, Wärme zu leiten und elektrischen und thermischen Belastungen zu widerstehen, macht sie zu einer zuverlässigen Wahl für verschiedene elektronische Anwendungen.

QSAM AlN-Platten

Bei QSAM Inc. fertigen wir hochwertige Aluminiumnitrid (AlN)-Substrate, die auf Elektronikanwendungen zugeschnitten sind. Unsere AlN-Substrate bieten hervorragendes thermisches Management, elektrische Isolation und mechanische Festigkeit. Die Materialien widerstehen hohen Temperaturen und thermischen Schocks und leiten die Wärme effizient von empfindlichen Komponenten ab.

Mit dimensionsstabilen AlN-Substraten erfahren die Geräte eine reduzierte thermische Belastung für eine verbesserte Lebensdauer. QSAM liefert kundenspezifische oder standardmäßige AlN-Substrate mit Präzisionszerspanung und Polierung. Für anspruchsvolle elektronische Projekte, die eine optimale Wärmeableitung und Isolation erfordern, vertrauen Sie auf unsere Aluminiumnitrid-Substrate. QSAM arbeitet mit Kunden zusammen, um AlN-Lösungen zu entwickeln, die Ihren spezifischen Anforderungen entsprechen.

Chemische Formel:	AlN
Erscheinung:	Hellgraue feste Keramik
Dichte:	3,3 g/cm³
Schmelzpunkt:	2500°C
Wärmeleitfähigkeit:	170~200 W/m K  bei Raumtemperatur
Wärmeausdehnung:	4,6 x 10-6
Elektrischer Widerstand:	1,5 x 1013
Dielektrizitätskonstante:	10,2
Dielektrische Festigkeit:	17 kV/mm

Verpackung von Aluminiumnitrid-Substraten

Als Keramikmaterial ist AlN in vielen Fällen recht spröde. Die Aluminiumsubstrate werden normalerweise im Vakuum in Plastikbeuteln gehalten und mit schweren Schaumstofflagen geschützt.

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