Hochreine Materialien
QS Advnaced Materials verwendet eine Vielzahl hochreiner Materialien, um unsere Produkte herzustellen. Einige dieser Materialien sind auch als Produkte selbst geeignet. Dazu gehören Zirkonium- und Hafnium-Kristallstangen, Elektrolyt-Eisen (Fe), destillierte Seltenerden-Metalle und halbleitergradiges Bor, usw.
Kristallstangen
Zirkonium und Hafnium sind zwei eng verwandte Elemente, die ähnliche Eigenschaften und Kristallstrukturen aufweisen. Beide Elemente gehören zur selben Gruppe im Periodensystem, der "Titangruppe". Eine Kristallstange aus Zirkonium oder Hafnium bezeichnet ein hochreines Zr- oder Hf-Metall, das mit der Iodid-Kristallisationsmethode hergestellt wird. Im Herstellungsprozess werden die Rohmaterialien Zr oder Hf chemisch zu Zirkoniumiodid oder Hafniumiodid umgesetzt. Aufgrund des relativ niedrigen Siedepunkts von Iodiden können sie in einer Vakumumgebung ohne zu viel Wärme verdampft werden. Anschließend werden die Iodide in einem Reaktionsgefäß auf hohe Temperaturen erhitzt, wodurch sie sich zersetzen und auf einem Masterträger ablagern. Für Zirkonium-Kristallstangen wird ein Zr-Draht als Masterträger verwendet, für Hafnium-Kristallstangen ein Hf-Draht. Dieses Kristallisationsverfahren ergibt polykristalline Metallstangen, daher der Name "Kristallstange". Der Verdampfungs-Rekristallisationsprozess verbessert die Reinheit des Metalls erheblich, typischerweise auf Werte von 99,95% oder sogar höher.
Halbleitergradiges Bor
Als leichtes Element ist Bor von Natur aus nicht besonders teuer. Um jedoch die Anforderungen der Halbleiterindustrie zu erfüllen, ist hochreines Bor mit einer Reinheit von über 99,99% erforderlich. QSAM hat in Zusammenarbeit mit seinen Partnern eine Versorgung mit hochreinem Bor beschafft, um den Bedarf von Forschungseinrichtungen zu decken und die Nachfrage nach Großexperimenten zu bedienen. Darüber hinaus kann QSAM Unterstützung für die Großproduktion leisten und so eine zuverlässige Quelle für hochreines Bor bereitstellen.
Destillierte Seltenerdenmetalle
Die Destillationsreinigung von Seltenerdenmetallen ist ein Verfahren, das zur Trennung und Reinigung von Seltenerdenmetallen verwendet wird. Dabei werden die gemischten Seltenerdenmetalle auf ihre jeweiligen Siedepunkte erhitzt, woraufhin die verdampften Metalle kondensiert und gesammelt werden. Tantalumkondensatoren werden häufig eingesetzt, da sie eine hervorragende Korrosionsbeständigkeit und einen hohen Schmelzpunkt aufweisen. Sie kühlen und kondensieren die verdampften Seltenerdenmetalle effizient, so dass diese gesammelt werden können. Wolfram-Tiegel werden verwendet, um das Rohstoffmaterial der Seltenerdenmetalle während der Destillation zu enthalten. Dieser Destillationsprozess ermöglicht die Herstellung von hochreinen Seltenerdenmetallen für verschiedene industrielle Anwendungen.
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Aluminiumborid (AlB) Sputtering-Targets
Zusammensetzung: Aluminiumborür (AlB)
Katalog-Nr. DPBO13ST
Reinheit: 99,9 %
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Zirkonium-Pellets
Material: Hochreines Zirkonium (99,95% Hf<100ppm)
Referenzpreis: $265,00/100g
Durchmesser: 1~3mm
Länge: 2~5mm
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Zirkonium- und Hafnium-Kristallstäbe
Mindestbestellmenge: 300 $
Katalog-Nr. RM40-CB (Zirkonium), RM72-CB (Hafnium)
Typische Lieferzeit: 2-3 Wochen
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Hochreines Borpulver
Hochreine, halbleitergradige Borpulver (amorpher Zustand)
Reinheit: >99,999% Spurenmetallbasis.
Durchschnittliche Teilchengröße: 200 Mesh, 400 Mesh
Katalog-Nr.: HPBP MOQ: $100
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Hafniumverdampfungsmaterialien
Hafnium-Verdampfungsmaterialien.
Form: Drehspäne, Pellets
Reinheit:>99,95% Zr<0,5%
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Magnesiumfluorid (MgF2) Sputtering-Targets
Zusammensetzung: Magnesiumfluorid (MgF2)
Katalog-Nr. DPHL12ST
Reinheit: 99,9% ~ 99,99%
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AgNbO3 Sputterziel
Zusammensetzung: AgNbO3
Katalog-Nr. DPMO201ST
Reinheit: >99,5%
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Ba2Bi1.05NbO6 Sputterziel
Zusammensetzung: Ba2Bi1.05NbO6
Katalog-Nr. DPMO202ST
Reinheit: >99,5%
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Ba2Bi1.05TaO6 Sputterziel
Zusammensetzung: Ba2Bi1.05TaO6
Katalog-Nr. DPMO203ST
Reinheit: >99,5%
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BaFeO3 Sputterziel
Zusammensetzung: BaFeO3
Katalog-Nr. DPMO204ST
Reinheit: >99,5%
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BaZr0.2Ti0.8O3 Sputterziel
Zusammensetzung: BaZr0,2Ti0,8O3
Katalog-Nr. DPMO205ST
Reinheit: >99,5%
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Bi1-xLaxFeO3 Sputterziel
Zusammensetzung: Bi1-xLaxFeO3
Katalog-Nr. DPMO206ST
Reinheit: >99,5%
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BiFeO3 Sputterziel
Zusammensetzung: BiFeO3
Katalog-Nr. DPMO207ST
Reinheit: >99,5%
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CaCuO2 Sputterziel
Zusammensetzung: CaCuO2
Katalog-Nr.: DPMO208ST
Reinheit: >99,5%
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DyScO3 Sputterziel
Zusammensetzung: DyScO3
Katalog-Nr. DPMO209ST
Reinheit: >99,5%
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ErMnO3 Sputterziel
Zusammensetzung: ErMnO3
Katalog-Nr. DPMO210ST
Reinheit: >99,5%
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GdFeO3 Sputterziel
Zusammensetzung: GdFeO3
Katalog-Nr. DPMO211ST
Reinheit:>99,5%
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HoMnO3 Sputterziel
Zusammensetzung: HoMnO3
Katalog-Nr. DPMO212ST
Reinheit:>99,5%
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PbZr1-xTixO3 Sputterziel
Zusammensetzung: PbZr1-XTiXO3
Katalog-Nr.DPMO214ST
Reinheit:>99.5%
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