Siliziumkarbid (SiC) Sputtering-Targets
Zusammensetzung: Siliziumkarbid (SiC)
Katalog-Nr.: DPCB14ST
Reinheit: 99,50%
Bitte klicken Sie auf für Rabatte und andere Größen
Klicken Sie hier für die Spezifikationen des SiC-Sputtertargets
Klicken Sie hier für das Sicherheitsdatenblatt des SiC-Sputtertargets
- Produktdetails
Spezifikationen des Siliziumkarbid (SiC)-Sputtertargets
Formel: SiC
CAS-Nr.: 409-21-2
Max. Durchmesser der flachen runden Sputtertargets: 8"
Typische Lieferzeit für SiC-Sputtertargets: 4 Wochen
Regelmäßige Abmessungen und Preise von Siliziumkarbid (SiC)-Sputtertargets
Produktname |
Referenzpreis |
|
2"dia x 1/8"t Siliziumkarbid-Sputtertarget |
476 $ | Zum Angebot hinzufügen |
3"dia x 1/8"t Siliziumkarbid-Sputtertarget |
434 $ |
Zum Angebot hinzufügen |
2"dia x 1/8"t SiC-Sputtertarget mit In-Bindung auf Cu-Rückplatte |
556 $ |
Zum Angebot hinzufügen |
3"dia x 1/8"t SiC-Sputtertarget mit In-Bindung auf Cu-Rückplatte |
569 $ | Zum Angebot hinzufügen |
Über unsere SiC-Sputtertargets
QS Advanced Materials (QSAM) ist ein professioneller Anbieter von maßgefertigten Verbrauchsmaterialien für Forschung und Entwicklung. Wir bieten flexible Anlageneinstellungen, um eine breite Palette von Kundenwünschen an flachen runden Sputtertargets zu erfüllen. Unsere Siliziumkarbid-Sputtertargets werden durch Heißpressen hergestellt, was eine hohe Reinheit mit wenig freiem Kohlenstoff oder Silizium gewährleistet. Dank jahrelanger Erfahrung können wir SiC-Targets mit einem Durchmesser von bis zu 8 Zoll liefern und sind bereit, bei Bedarf auch größere Größen zu erkunden. QSAM unterstützt mit Stolz Nationallabore in den USA, Universitäten weltweit und Forschungseinrichtungen mit unseren hochwertigen Sputtertargetermaterialien, um den Fortschritt von Wissenschaft und Technik zu ermöglichen.
Sputtern von Siliziumkarbid
Sputtertechniken werden häufig verwendet, um dünne Schichten aus Siliziumkarbid herzustellen. Das SiC-Targetmaterial wird auf die Elektrode in der Sputterka mmer gelegt. Schwere Ionenteilchen oder Laser werden häufig verwendet, um das Beschichtungsmaterial vom Target, in diesem Fall aus Siliziumkarbid, abzulösen, um eine dünne SiC-Schicht auf der Oberfläche des Substrats zu erzeugen. Da Siliziumkarbid ein elektrischer Isolator ist, verwenden Menschen in der Regel kein Gleichstromsputtern für diesen Targetmaterialtyp.
Über Siliziumkarbid
Siliziumkarbid (SiC) ist ein hexagonaler Kristall, der in schwarze und grüne Varianten unterteilt ist, mit einer spezifischen Dichte von 3,20-3,25 und einer Mikrohärte von 2840-3320 kg/mm². SiC wird hauptsächlich verwendet, um Materialien mit niedriger Zugfestigkeit wie Glas, Keramik, Stein und feuerfeste Materialien zu verarbeiten.
Neben seinen Schleifmitteleigenschaften hat Siliziumkarbid viele andere Verwendungen aufgrund seiner stabilen chemischen Eigenschaften, hohen Wärmeleitfähigkeit, geringen thermischen Ausdehnungskoeffizienten und guten Verschleißfestigkeit. Zum Beispiel kann SiC-Pulver den Verschleißwiderstand des Laufrads oder Zylinders einer Wasserturbine um das 1- bis 2-Fache erhöhen, während hochwertige feuerfeste Materialien aus SiC Temperaturwechselbeständigkeit, kleine Abmessungen, geringes Gewicht, hohe Festigkeit und gute energiesparende Auswirkungen haben. Niedrigwertige SiC (mit etwa 85% SiC) sind ausgezeichnete Deoxidiermittel, die die Stahlherstellung beschleunigen, die Kontrolle der chemischen Zusammensetzung erleichtern und die Stahlqualität verbessern. Darüber hinaus wird Siliziumkarbid weit verwendet, um Siliziumkarbid-Stäbe für Heizwiderstände herzustellen.
Die hohe Wärmeleitfähigkeit, Wärmestrahlung und Wärtefestigkeit von SiC machen es zu einem idealen indirekten Material für keramisch glasierte Backöfen und Sinteröfen. Die Herstellung von dünnen Plattenöfen mit SiC kann die Kapazität der Ofenausstattung reduzieren, die Kapazität und Produktqualität des Ofens erhöhen und den Produktionszyklus verkürzen.
Um hochreines Siliziumkarbidmaterial herzustellen, nicht Siliziumzusammensetzungen mit Kohlenstoff, verwendet QSAM vorsynthetisiertes Siliziumkarbidpulver als Material und verwendet die Heißpressverfahren, um es zu Sputtertargets zu sintern. Das resultierende Material hat deutlich weniger freies Silizium oder Kohlenstoff im Vergleich zu normalem Siliziumkarbid, das als Strukturkeramik verwendet wird.
Verpackung von Siliziumkarbid-Sputtertargets
Die Sputtertargets von QSAM werden für den Versand vakuumversiegelt in Plastikbeuteln verpackt. Wir verwenden auch schweren Schaum zum Schutz. Übliche Unterlagen, die zusammen mit den Sputtertargets geliefert werden, sind Packliste und Analysebericht, z.B. COA.
Verwandtes Produkt
Lanthan-Strontium-Vanadat (LaSrVO3) Sputter-Targets