Zinntellurid (SnTe) Sputtering-Targets
Zusammensetzung: Zinntellurid (SnTe)
Katalog-Nr. DPTE50ST
Reinheit: 99,9 % ~ 99,99 %
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- Produktdetails
Zinntellurid (SnTe)-Sputtertarget-Spezifikationen
Formel: SnTe
CAS-Nr.: 12040-02-7
Max. Durchmesser der flachen Scheiben-Sputtertargets: 10"
Typische Lieferzeit für SnTe-Sputtertargets: 4 Wochen
Regelmäßige Abmessungen und Preise für Zinntellurid (SnTe)-Sputtertargets
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Produktname |
Referenzpreis |
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2"dia x 1/8"t Zinntellurid-Sputtertarget |
952 $ | In den Warenkorb |
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3"dia x 1/8"t Zinntellurid-Sputtertarget |
1.300 $ |
In den Warenkorb |
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2"dia x 1/8"t SnTe-Sputtertarget mit In-Verbindung zu Cu-Rückplatte |
1.032 $ |
In den Warenkorb |
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3"dia x 1/8"t SnTe-Sputtertarget mit In-Verbindung zu Cu-Rückplatte |
1.435 $ | In den Warenkorb |
Über unsere Sputtertargets
QSAM ist ein professioneller Anbieter von kundenspezifisch hergestellten F&E-Verbrauchsmaterialien. Unsere Anlagenausstattung ist flexibel, um verschiedene Anforderungen von Kunden für flache Scheiben-Sputtertargets zu erfüllen. Wir unterstützen US-Nationallabore sowie Universitäten und Forschungseinrichtungen weltweit mit unserem Targetmaterial und anderen maßgeschneiderten Produkten. Bitte sehen Sie hier die Liste unserer anderen Telluridsputtertargets
Über Zinntellurid
Zinntellurid (SnTe) ist ein Halbleiter mit einer schmalen Bandlücke und einer kubischen Kristallstruktur. Es hat aufgrund seiner einzigartigen elektronischen Eigenschaften große Aufmerksamkeit für potenzielle Anwendungen in der thermoelektrischen Energieumwandlung auf sich gezogen. SnTe weist einen hohen Seebeck-Koeffizienten und eine geringe Wärmeleitfähigkeit auf, was es zu einem attraktiven Material für thermoelektrische Generatoren macht. Dünne SnTe-Schichten können durch Sputterverfahren abgeschieden werden, was eine präzise Kontrolle über die Zusammensetzung, Dicke und Mikrostruktur des Materials ermöglicht. Das Sputtern ermöglicht die Herstellung hochqualitativer SnTe-Schichten mit optimierten thermoelektrischen Eigenschaften, wie einem verbesserten Leistungsfaktor und einer reduzierten Wärmeleitfähigkeit. Durch sorgfältige Abstimmung der Sputterparameter können Forscher die Ladungsträgerkonzentration, Mobilität und Gitterwärmeleitfähigkeit von SnTe-Schichten so anpassen, dass eine hohe thermoelektrische Leistung erreicht wird. Neben thermoelektrischen Anwendungen wurde SnTe auch als Komponente in Phasenänderungsspeichern untersucht. Seine Fähigkeit, schnelle und reversible Phasenübergänge zwischen amorphen und kristallinen Zuständen zu durchlaufen, macht es für Datenspeicheranwendungen geeignet. Sputterverfahren wurden eingesetzt, um SnTe-Schichten mit kontrollierten Phasenänderungseigenschaften abzuscheiden, was die Herstellung von hochgeschwindigkeitsen und energieeffizienten Speichergeräten ermöglicht. Die Möglichkeit, SnTe durch Sputtern abzuscheiden, hat neue Wege für die Entwicklung fortschrittlicher thermoelektrischer und Speichertechnologien eröffnet. Da die Forschung weiterhin das volle Potenzial von SnTe erkundet, wird das Sputtern zweifellos eine entscheidende Rolle bei der Herstellung und Optimierung von SnTe-basierten Geräten spielen und so den Fortschritt nachhaltiger Energielösungen und leistungsfähiger Datenspeichersysteme vorantreiben.
Verpackung der Zinntellurid-Sputtertargets
Die QSAM-Sputtertargets werden für den Versand in Plastikbeutel vakuumversiegelt. Wir verwenden auch schweres Schaumstoff-Material zum Schutz. Zusammen mit den Sputtertargets werden üblicherweise Packliste und Analysebericht (z.B. COA) mitgeliefert.
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