Aluminiumnitrid (AlN) Scheiben-Sputtering-Targets

Über Nitrid-Sputtertargets

Aluminiumnitrid (AlN) hat in letzter Zeit verstärkt an Aufmerksamkeit gewonnen. Insbesondere wirkt es als Halbleitermaterial mit breiter Bandlücke. Darüber hinaus besitzt AlN Eigenschaften wie eine hohe elektrische Durchschlagsfestigkeit. Es zeigt auch eine hohe Wärmeleitfähigkeit und einen hohen Widerstand. Außerdem behält AlN eine hohe chemische und thermische Stabilität. Aufgrund dieser Eigenschaften findet AlN eine extensive Anwendung in der Elektronik und in Schaltungen.

Derzeit umfassen die Methoden zur Herstellung von AlN-Dünnschichten die gepulste Laserablation und das Magnetronsputtern. Bei diesen Techniken dient festes AlN als Sputtertarget. Wenn es von Energie getroffen wird, bilden sich AlN-Mikropartikel. Durch Abscheidung dieser Partikel auf einem Substrat entsteht dann eine AlN-Dünnschicht.

Darüber hinaus entspricht AlN der Gitterkonstante von Galliumnitrid (GaN)-Materialien. Daher dient AlN weithin als Pufferschicht für das Wachstum von GaN. Üblicherweise findet GaN Anwendung in lichtemittierenden Bauelementen und Lasern. Allerdings fehlt GaN ein Verfahren zur Massenherstellung. Auch gibt es kein ideales Substrat dafür. Derzeit dient Saphir mit Fehlanpassung als Substrat. Im Gegensatz dazu weisen AlN und GaN eine übereinstimmende Konstante auf. Daher kann AlN als Substrat hochwertige GaN-Filme aufwachsen lassen. Folglich erweist sich AlN als ideales Substrat für das Wachstum von GaN.

Aluminiumnitrid (AlN)-Scheiben-Sputtertarget Spezifikationen

Formel: AlN

CAS-Nr.: 24304-00-5

Max. Durchmesser des Scheiben-Sputtertargets: 12 Zoll

Typische Lieferzeit für AlN-Scheiben-Sputtertargets: 4 Wochen

Regelmäßige Abmessungen und Preise der AlN-Scheiben-Sputtertargets von QSAM

Produktname	Referenzpreis
2"Durchm. x 1/8"Dicke	$396	Zum Angebot hinzufügen
3"Durchm. x 1/8"Dicke	$652	Zum Angebot hinzufügen
2"Durchm. x 1/8"Dicke mit In-Bindung an Cu-Rückplatte	$476	Zum Angebot hinzufügen
3"Durchm. x 1/8"Dicke  mit In-Bindung an Cu-Rückplatte	$787	Zum Angebot hinzufügen

Über unsere Sputtertargets

 QS Advanced Materials Inc ist ein professioneller Anbieter für kundenspezifisch hergestellte FuE-Verbrauchsmaterialien. Unser Anlagenaufbau ist flexibel genug, um verschiedenste Anforderungen von Kunden für flache Sputtertargets zu erfüllen. Wir unterstützen US-Nationalforschungslabore und Universitäten sowie Forschungseinrichtungen weltweit mit unseren Sputtertargetmaterialien und anderen maßgeschneiderten Produkten. 

Eigenschaften des Aluminiumnitrid-Targets

Eigenschaft	Wert	Einheit
Chemische Formel	AlN
Kristallstruktur	Hexagonal
Dichte	3,26-3,33	g/cm³
Schmelzpunkt	2230

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