Aluminiumnitrid-Tiegel

Aluminiumnitrid (AlN) 

Es hat sich gezeigt, dass Aluminiumnitrid-Keramikmaterial in Mikroelektronikanwendungen vielversprechend ist, da es eine sehr hohe Wärmeleitfähigkeit und Eigenschaften als Isolierkeramik aufweist. Die gängigste Anwendung für Aluminiumnitrid ist in jüngster Zeit das Substrat für Elektronik oder Chip-Träger. Neben PBN-Tiegeln ist AlN auch einer der ausgewählten Werkstoffe zum Bau von Tiegeln zum Wachsen von GaN-Kristallen (Galliumnitrid).

Aluminiumnitrid-Tiegel konnten in Luft etwa 1300 °C aushalten, ohne dass es zu einer Massenzunahme durch Oxidation kam, obwohl der Prozess nach 700 °C einsetzte. Im Vakuum zersetzt sich AlN bei 1800 °C. AlN schmilzt bei 2200 °C unter Schutzgasatmosphäre. Ganz allgemein beträgt die Arbeitstemperatur für AlN-Produkte 800 °C in Luft, 1700 °C im Vakuum und 2100 °C in Schutzgasatmosphäre.

QSAM AlN-Tiegel

 

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Chemische Formel:	AlN
Erscheinungsbild:	Hellgraue feste Keramik
Dichte:	3,3 g/cc
Schmelzpunkt:	2500°C
Wärmeleitfähigkeit:	170~200 W/m·K  bei Raumtemperatur
Wärmeausdehnung:	4,6 x 10-6
Spezifischer elektrischer Widerstand:	1,5 x 1013
Dielektrizitätskonstante:	10,2
Durchschlagfestigkeit:	17 kV/mm

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