Ba2Bi1.05TaO6 Sputterziel
Zusammensetzung: Ba2Bi1.05TaO6
Katalog-Nr. DPMO203ST
Reinheit: >99,5%
Bitte klicken Sie für Rabatte und andere Größen
Klicken Sie hier für die Spezifikationen des Ba2Bi1.05TaO6-Sputtering-Ziels
Klicken Sie hier für das SDS-Dokument des Ba2Bi1.05TaO6-Sputtering-Ziels
- Produktdetails
Spezifikationen des Ba2Bi1.05TaO6 (Ba2Bi1.05TaO6)-Sputtering-Ziels
Formel: Ba2Bi1.05TaO6
CAS-Nr.: N.A.
Max. Durchmesser des flachen Sputtering-Ziels: 14"
Typische Lieferzeit für Ba2Bi1.05TaO6-Sputtering-Ziele: 4 Wochen
Reguläre Abmessungen und Preise des Ba2Bi1.05TaO6 (Ba2Bi1.05TaO6)-Sputtering-Ziels
Produktname |
Referenzpreis |
|
Ba2Bi1.05TaO6-Sputtering-Ziel, 2" Durchmesser x 1/8" Stärke |
$730 | Zum Angebot hinzufügen |
Ba2Bi1.05TaO6-Sputtering-Ziel, 3" Durchmesser x 1/8" Stärke |
Preis auf Anfrage |
Zum Angebot hinzufügen |
Ba2Bi1.05TaO6-Sputtering-Ziel, 2" Durchmesser x 1/8" Stärke, mit In-Beschichtung auf Cu-Rückplatte |
$825 |
Zum Angebot hinzufügen |
Ba2Bi1.05TaO6-Sputtering-Ziel, 3" Durchmesser x 1/8" Stärke, mit In-Beschichtung auf Cu-Rückplatte |
Preis auf Anfrage | Zum Angebot hinzufügen |
Über unsere Sputtering-Ziele
QSAM ist ein professioneller Anbieter von maßgefertigten F&E-Verbrauchsmaterialien. Unser Anlagenaufbau ist flexibel, um verschiedenste Anforderungen unserer Kunden an flache Sputtering-Ziele zu erfüllen. Wir unterstützen US-Nationalforschungslabore sowie Universitäten und Forschungseinrichtungen weltweit mit unseren Zielmaterialien und anderen kundenspezifischen Produkten. Bitte schauen Sie hier nach der Liste unserer anderen Mischoxid-Sputtering-Ziele
Über Ba2Bi1.05TaO6
Ba2Bi1.05TaO6 ist ein weiteres komplexes Perowskit-Oxidmaterial, das ähnliche Eigenschaften wie Ba2Bi1.05NbO6 aufweist. Es zeigt ferroelektrische und piezoelektrische Merkmale aufgrund der Kombination von Barium, Bismut und Tantal in der Kristallstruktur. Wie sein Niobiumanalogon hat Ba2Bi1.05TaO6 eine hohe Dielektrizitätskonstante, eine starke Polarisation und eine gute piezoelektrische Reaktion, was es für den Einsatz in Kondensatoren, Sensoren und Aktoren geeignet macht. Das Material kann als Dünnschicht mittels Verfahren wie Sputtern abgeschieden werden, wodurch seine Integration in die Halbleiterfertigung und die Entwicklung multifunktionaler Bauelementkomponenten ermöglicht wird. Die Anpassung der Zusammensetzung und Struktur von Ba2Bi1.05TaO6 ermöglicht die Optimierung seiner ferroelektrischen und piezoelektrischen Eigenschaften für verschiedene elektronische und elektromechanische Anwendungen.;
Verpackung des Ba2Bi1.05TaO6-Sputtering-Ziels
QSAMs Sputtering-Ziele werden für den Versand in Plastikbeuteln vakuumversiegelt. Zusätzlich verwenden wir schweren Schaumstoff zum Schutz. Standardmäßig werden zusammen mit den Sputtering-Zielen Packlisten und Analysezertifikate wie ein COA mitgeliefert.
Verwandtes Produkt