Hochreine Materialien
QS Advnaced Materials verwendet eine Vielzahl hochreiner Materialien, um unsere Produkte herzustellen. Einige dieser Materialien sind auch als Produkte selbst geeignet. Dazu gehören Zirkonium- und Hafnium-Kristallstangen, Elektrolyt-Eisen (Fe), destillierte Seltenerden-Metalle und halbleitergradiges Bor, usw.
Kristallstangen
Zirkonium und Hafnium sind zwei eng verwandte Elemente, die ähnliche Eigenschaften und Kristallstrukturen aufweisen. Beide Elemente gehören zur selben Gruppe im Periodensystem, der "Titangruppe". Eine Kristallstange aus Zirkonium oder Hafnium bezeichnet ein hochreines Zr- oder Hf-Metall, das mit der Iodid-Kristallisationsmethode hergestellt wird. Im Herstellungsprozess werden die Rohmaterialien Zr oder Hf chemisch zu Zirkoniumiodid oder Hafniumiodid umgesetzt. Aufgrund des relativ niedrigen Siedepunkts von Iodiden können sie in einer Vakumumgebung ohne zu viel Wärme verdampft werden. Anschließend werden die Iodide in einem Reaktionsgefäß auf hohe Temperaturen erhitzt, wodurch sie sich zersetzen und auf einem Masterträger ablagern. Für Zirkonium-Kristallstangen wird ein Zr-Draht als Masterträger verwendet, für Hafnium-Kristallstangen ein Hf-Draht. Dieses Kristallisationsverfahren ergibt polykristalline Metallstangen, daher der Name "Kristallstange". Der Verdampfungs-Rekristallisationsprozess verbessert die Reinheit des Metalls erheblich, typischerweise auf Werte von 99,95% oder sogar höher.
Halbleitergradiges Bor
Als leichtes Element ist Bor von Natur aus nicht besonders teuer. Um jedoch die Anforderungen der Halbleiterindustrie zu erfüllen, ist hochreines Bor mit einer Reinheit von über 99,99% erforderlich. QSAM hat in Zusammenarbeit mit seinen Partnern eine Versorgung mit hochreinem Bor beschafft, um den Bedarf von Forschungseinrichtungen zu decken und die Nachfrage nach Großexperimenten zu bedienen. Darüber hinaus kann QSAM Unterstützung für die Großproduktion leisten und so eine zuverlässige Quelle für hochreines Bor bereitstellen.
Destillierte Seltenerdenmetalle
Die Destillationsreinigung von Seltenerdenmetallen ist ein Verfahren, das zur Trennung und Reinigung von Seltenerdenmetallen verwendet wird. Dabei werden die gemischten Seltenerdenmetalle auf ihre jeweiligen Siedepunkte erhitzt, woraufhin die verdampften Metalle kondensiert und gesammelt werden. Tantalumkondensatoren werden häufig eingesetzt, da sie eine hervorragende Korrosionsbeständigkeit und einen hohen Schmelzpunkt aufweisen. Sie kühlen und kondensieren die verdampften Seltenerdenmetalle effizient, so dass diese gesammelt werden können. Wolfram-Tiegel werden verwendet, um das Rohstoffmaterial der Seltenerdenmetalle während der Destillation zu enthalten. Dieser Destillationsprozess ermöglicht die Herstellung von hochreinen Seltenerdenmetallen für verschiedene industrielle Anwendungen.
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Dysprosiumfluorid (DyF3) Sputtering-Targets
Zusammensetzung: Dysprosium-Fluorid (DyF3)
Katalog-Nr. DPHL66ST
Reinheit: 99,9% ~ 99,99% (REE)
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Terbiumfluorid (TbF3) Sputtering-Targets
Zusammensetzung: Terbium-Fluorid (TbF3)
Katalog-Nr. DPHL65ST
Reinheit: 99,9% (Seltenerdelement)
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Samariumfluorid (SmF3) Sputtering-Targets
Zusammensetzung: Samarium-Fluorid (SmF3)
Katalog-Nr. DPHL62ST
Reinheit: 99,9% ~ 99,95% (REE)
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Ceriumfluorid (CeF3) Sputtering-Targets
Zusammensetzung: Ceriumfluorid (CeF3)
Katalog-Nr. DPHL58ST
Reinheit: 99,9 % ~ 99,99 % (REM)
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Lanthanfluorid (LaF3) Sputtering-Targets
Zusammensetzung: Lanthanfluorid (LaF3)
Katalog-Nr. DPHL57ST
Reinheit: 99,9% ~ 99,99% (Seltene Erden)
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Yttriumfluorid (YF3) Sputtering-Targets
Zusammensetzung: Yttriumfluorid (YF3)
Katalog-Nr.: DPHL39ST
Reinheit: 99,9 % ~ 99,99 % (REE)
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Aluminiumfluorid (AlF3) Sputtering-Targets
Zusammensetzung: Aluminiumfluorid (AlF3)
Katalog-Nr. DPHL13ST
Reinheit:99,9% ~ 99,99%
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Bariumfluorid (BaF2) Sputtering-Targets
Zusammensetzung: Bariumfluorid (BaF2)
Katalog-Nr. DPHL56ST
Reinheit: 99,9% ~ 99,99%
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Chromfluorid (CrF3) Sputtering-Targets
Zusammensetzung: Chromfluorid (CrF3)
Katalog-Nr. DPHL24ST
Reinheit: 99,9%
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Hafniumfluorid (HfF4) Sputtering-Targets
Zusammensetzung: Hafniumfluorid (HfF4)
Katalog-Nr. DPHL72ST
Reinheit: 99,9%
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Lithiumfluorid (LiF) Sputtering-Targets
Zusammensetzung: Lithiumfluorid (LiF)
Katalognr. DPHL3ST
Reinheit: 99,9% ~ 99,99%
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Manganfluorid (MnF2) Sputtering-Targets
Zusammensetzung: Mangan-Fluorid (MnF2)
Katalog-Nr. DPHL25ST
Reinheit: 99,9%
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Gadolinium-borid (GdB6) Sputtering-Targets
Zusammensetzung: Gadolinium-Borid (GdB6)
Katalog-Nr. DPBO64ST
Reinheit: 99,5%
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Samarium-borid (SmB6) Sputtering-Targets
Zusammensetzung: Samarium-Borid (SmB6)
Katalog-Nr. DPBO62ST
Reinheit: 99,5%
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Borkarrbid (B4C) Sputtering-Targets
Zusammensetzung: Borcarbit (B4C)
Katalog-Nr. DPCB5ST
Reinheit: 99,5%
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Chromkarbid (Cr3C2) Sputtering-Targets
Zusammensetzung: Chromiumkarbid (Cr3C2)
Katalog-Nr. DPCB24ST
Reinheit: 99,5%
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Hafniumkarbid (HfC) Sputtering-Targets
Zusammensetzung: Hafniumkarbid (HfC)
Katalog-Nr. DPCB72ST
Reinheit: 99,5%
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Eisenkarbid (Fe3C) Sputtering-Targets
Zusammensetzung: Eisenkarbid (Fe3C)
Katalog-Nr. DPCB26ST
Reinheit: 99,5%
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Molybdänkarbid (Mo2C) Sputtering-Targets
Zusammensetzung: Molybdänkarbid (Mo2C)
Katalog-Nr. DPCB42ST
Reinheit: 99,5%
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Niobkarbid (NbC) Sputtering-Targets
Zusammensetzung: Niobcarbid (NbC)
Katalog Nr.DPCB41ST
Reinheit:99,5%
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